A przynajmniej jego część odpowiedzialna za produkcję pamięci NAND flash. Operacja przejęcia tego biznesu od firmy Intel przez korporacje SK hynix już trwa.

Micron jako pierwszy producent na świecie zaprezentował 176-warstwowe pamięci 3D NAND flash. Dzięki takiemu opakowaniu kolejnych warstw możliwe jest osiągnięcie bezprecedensowego zagęszczenia danych.

Blisko ze sobą współpracujące firmy SanDisk oraz Western Digital poinformowały o dalszym zacieśnianiu interesów skutkującym de facto integracji obu korporacji. Na razie wyłącznie na rynku japońskim.

Phison wprowadza na rynek kontrolery dla pamięci QLC stosowane w napędach SSD.

Toshiba zapowiada nowości! Choć jeszcze pamięci typu QLC NAND flash nie miały okazji zadomowić się na rynku to już trwają, wspólnie z Western Digital, prace nad pamięciami Penta Level Cell. W dodatku przedstawiono demo pierwszego napędu SSD PCIe 4.0 skierowanego na rynek korporacyjny.

Greenliant rozpoczął dostawy testowych serii napędów EnduroSLC NANDrive EX w postaci płytek BGA. Przeznaczone są one do stosowania tam, gdzie wymagana jest wysoka odporność pamięci na częste cykle zapisu i odczytu.

W 250 GB napędach półprzewodnikowych SSD Samsung z interfejsem SATA zaczęto stosować szóstą generację pamięci 3D V-NAND flash.

Coś pomiędzy pamięcią DRAM a NAND? Dla wymagających bardzo szybkich nośników, które nie tracą stanu po odłączeniu zasilania Toshiba przygotowała urządzenia XL-FLASH.

SK Hynix jako pierwszy na świecie rozpoczął masową produkcję 1 Tb kości pamięci 4D NAND flash mających aż 128 warstw.

13-minutowa przerwa w dostawie prądu do fabryki pamięci NAND w Yokkaichi spowodowała uszkodzenie kości flash o łącznej pojemności aż 12 do nawet 15 Exabajtów. Czy spowoduje to wzrost cen SSD?

SK Hynix poinformował o rozpoczęciu produkcji pierwszych na świecie kości pamięci 4D NAND flash posiadających aż 128 warstw.

Intel przedstawił ciekawe połączenie dwóch pamięci w pojedynczym urządzeniu. H10 na jednej karcie posiadają szybką pamięć Optane oraz SSD bazujący na nowoczesnych kościach QLC 3D NAND flash.

ADATA wprowadziła nowe pamięci 3D TLC NAND flash w linii industrialnej o podniesionej wytrzymałości. Podołają one trzem tysiącom cykli P/E i szerszemu zakresowi temperatur pracy, co zrównuje je z kościami 2D MLC NAND flash.

W trakcie warsztatów International Memory Workshop, odbywających się w Japonii, Sean Kang przedstawiał przyszłość rozwoju technologii NAND flash. Według niego do 2021 roku produkowane nośniki 3D osiągną 140 warstw.

7 miliardów USD – taką kwotę planuje wydać Samsung w przeciągu najbliższych trzech lat na rozwój produkcji pamięci NAND flash.