Nowa generacja V-NAND w SSD

Radek Nimal - Tuesday, 20 August 2019, 22:19

W 250 GB napędach półprzewodnikowych SSD Samsung z interfejsem SATA zaczęto stosować szóstą generację pamięci 3D V-NAND flash.




Szósta generacja pamięci 3D NAND flash wykonana jest w technologii TLC – w każdej komórce pamięci przechowywany jest jeden z ośmiu stanów prądowych czyli trzy bity informacji. Pojemność układów wynosi 256 Gb. Co istotne pamięci te mają 100 i więcej warstw, przez co charakteryzacją się wysoką gęstością upakowania danych i dużą prędkością pracy przy oszczędności miejsca w napędzie.


W porównaniu do pamięci 9x-warstwowych gęstość upakowania wzrosła aż o 40%. Uzyskano to tworząc struktury 136-warstwowe i następnie łącząc je pionowymi, cylindrycznymi dziurami. Powstają w ten sposób jednolite, trójwymiarowe komórki CTF (charge trap flash).


Obecnie Samsung planuje wdrożenie kości TLC V-NAND o pojemności 512 Gb na chip. Znajdą one zastosowanie nie tylko w napędach SSD, ale również kartach eUFS.


Źródło: Samsung

Tagi: , , , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.