PLC NAND flash – 5 bitów na komórkę

Radek Nimal - Tuesday, 27 August 2019, 09:54

Toshiba zapowiada nowości! Choć jeszcze pamięci typu QLC NAND flash nie miały okazji zadomowić się na rynku to już trwają, wspólnie z Western Digital, prace nad pamięciami Penta Level Cell. W dodatku przedstawiono demo pierwszego napędu SSD PCIe 4.0 skierowanego na rynek korporacyjny.




Penetracja rynku przez pamięci QLC NAND flash, mieszczących 4 bity na każdą komórkę, nie jest zbyt wysoka głównie z powodów utrudnień produkcyjnych – wymagana jest niezwykła dokładność, by móc odczytać aż 16 stanów energetycznych. Mimo to już teraz Toshiba zapowiada opracowywane wspólnie z Western Digital pamięci PLC mieszczące aż 5 bitów w każdej komórce pamięci. Wymagana jest tu jeszcze wyższa dokładność odczytu, gryż 5 bitów przechowywanych jest w aż 32 stanach energetycznych (2^5 możliwości). Całkowicie likwiduje to jakikolwiek margines błędu dla odczytu. To jest właśnie powód, dla którego w najdroższych napędach nadal używa się pamięci SLC – tu odczyt jest szybki i bezpieczny bo komórka posiada tylko dwa stany prądowe.


Już pamięci QLC przysparzają problemów z powodu swojej potencjalnej niestabilności i wyzwaniom towarzyszącym wspomnianemu dokładnemu odczytowi. Toshiba rozwija swoje rozwiązania opracowane dla QLC by wprowadzić pamięci typu PLC. Już teraz jest jednak pewne, że będą one jeszcze powolniejsze i jeszcze mniej wytrzymałe niż QLC. Nie bez powodu w popularnych napędach klienckich nadal królują sprawdzone i ciągle udoskonalane TLC NAND flash.


W planach Toshiba ma także wprowadzenie piątej generacji pamięci BiCS. Pojawi się ona wkrótce na rynku wraz z napędami z interfejsem PCIe 4.0. BiCS5 osiągają przepustowości 1 200 MTps, zatem ich stosowanie w napędach PCIe 3.0 lub SAS3 jest ekonomicznie nieuzasadnione. Już teraz firma planuje, wraz z wprowadzaniem kolejnych wersji interfejsów PCIe 5.0 i 6.0 oraz SAS4 zwiększać przepustowość pamięci BiCS6 (1 600 MTps) i BiCS7 (2 000 MTps).


Zaprezentowano także demo napędy z pamięciami XL-Flash. Ten rodzaj pamięci jest odpowiedzią na Low Latency V-NAND (znane też jako Z-NAND) produkowane przez Samsunga. Pamięci te charakteryzują się przede wszystkim niskimi opóźnieniami, co predysponuje je do stosowania w serwerach bazodanowych i innych. Stanowią one niejako most pamięci wydajnością DRAM a nie-ulotnością NAND łącząc zalety obu typów. W odróżnieniu od Intel Optane rozwiązania Toshiba i Samsunga mają przede wszystkim znacznie niższą cenę.


Toshiba przedstawiła również nowy napęd CM6. Jest to pierwszy korporacyjny SSD interfejsem PCIe 4.0 i najnowszym wcieleniem NVMe 1.4. Przygotowano do w nowym formacie U.3 (znanym też jako SFF-TA-1001). Występuje w konfiguracjach jedno- i dwuportowych. Dedykowany jest do przetwarzania danych w chmurach korporacyjnych.


Źródło: Tom's Hardware

Tagi: , , , , , , , , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.