Coś pomiędzy pamięcią DRAM a NAND? Dla wymagających bardzo szybkich nośników, które nie tracą stanu po odłączeniu zasilania Toshiba przygotowała urządzenia XL-FLASH.
XL-FLASH bazują na kościach 3D BiCS FLASH typu SLC (zaledwie dwa stany energetyczne). Pamięci takie przechowują tylko1 bit danych na każdą komórkę dzięki czemu zapis i odczyt jest bardzo szybki a prawdopodobieństwo wystąpienia błędu znikome. Nośniki tego typu mają stworzyć nową klasę pamięci nieulotnych o wydajności zbliżonej do ulotnej. Storage Class Memory (SCM) to coś pomiędzy DRAM a NAND – według zapewnień Toshiby.
Kości zaprezentowane przez to układy 128 Gb (zestawiane po 2, 4 lub 8) z plikiem stronicowania 4 KB i architekturą 16-płaszczyznową. Opóźnienia wynoszą poniżej 5 µs, czyli około 10-krotnie szybciej niż dla dzisiejszych pamięci typu TLC.
Dostawy egzemplarzy testowych rozpoczną się we wrześniu bieżącego roku a masowa produkcja ruszy na początku 2020.
Źródło: Toshiba