Przejdź do treści
   
   


Nowe artykuły:
Więcej...
Nowe recenzje: RSS
Więcej...
Najnowsze pliki: RSS
Więcej...
Nowe biosy: RSS
Więcej...

 

Rozne

Najnowsze testy

Artykuły



Newsy z tagiem DRAM

niedziela, 21 czerwca 2020

DRAM od Lexara

Radek Nimal | 22:40

Znany z produkcji pamięci flash Lexar wkracza na rynek pamięci operacyjnych. Nowe portfolio producenta obejmuje DRAM DDR4 dla laptopów i desktopów.



poniedziałek, 25 marca 2019

DRAM 10 nm

Radek Nimal | 14:07

Samsung jest pierwszą firmą na świecie, która przedstawiła gotowe pamięci trzeciej generacji wykonane w procesie technologicznym 10 nm. Kości DDR4 oznaczone jako 1z-nm o pojemności 8 Gb znajdą zastosowanie w nadchodzących serwerach korporacyjnych oraz najdroższych modelach komputerów osobistych produkowanych w przyszłym roku.



środa, 06 marca 2019

Pamięci DRAM tanieją najszybciej od lat

Jarson | 21:01
W ostatnich miesiącach rynek komputerów jest dość przychylny dla kupujących. Za sprawą szeregu korzystnych dla konsumentów czynników wyraźnie tanieją m.in. karty graficzne, pamięci NAND flash, a w ostatnim kwartale bardzo wyraźne zmniejszenie cen odnotowały pamięci operacyjne DRAM. Tu prognozowano spadek cen o 25%, a finalnie okazało się, że kości potaniały aż o 30%. Ostatnio tak duże tąpnięcie cen kwartał do kwartału zanotowano w 2011 roku.

piątek, 04 maja 2018

Pamięci do pojazdów w 10 nm

Radek Nimal | 14:37
Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM dedykowanych do stosowania w pojazdach w technologii 10 nm. Nowe moduły to 16 Gb kości LPDDR4X.

piątek, 26 maja 2017

3D XPoint DIMM już w przyszłym roku

Radek Nimal | 10:08

Intel planuje wprowadzić na rynek zapowiadaną wcześniej technologię 3D XPoint DRAM już w przyszłym roku.



piątek, 28 kwietnia 2017

8 Gb kości GDDR6

Radek Nimal | 09:04

SK Hynix zaprezentował nowe kości pamięci do stosowania w kartach graficznych – układy GDDR6 o pojemności 8 Gb.



czwartek, 31 marca 2016

Samsung rusza z produkcją kości DRAM w 18 nm

Radek Nimal | 15:40
Samsung rozpoczyna masową produkcję kości pamięci DRAM wykonywanych w procesie technologicznym 18 nm.

Samsung_DRAM_120

piątek, 29 stycznia 2016

JEDEC aktualizuje standard HBM

Radek Nimal | 08:00
Organizacja zajmująca się standaryzacją pamięci JEDEC przedstawiła zaktualizowane dokumenty zawierające opis standardu HBM DRAM.

jedec-v4

poniedziałek, 28 grudnia 2015

HBM2 DRAM

Radek Nimal | 14:13
Dwie firmy chcą już w przyszłym roku zaprezentować nowe rozwiązania pamięci operacyjnych. Samsung oraz SK Hynix pracują nad HBM2 DRAM.

sk_hynix_hbm_dram_2

wtorek, 16 czerwca 2015

Super Talent USB 3.0 Dram Disk

Radek Nimal | 14:23
Wykorzystując technologię DRAM firma Super Talent opracowała pendrive USB 3.0 Dram Disk. Jest to absolutny rekordzista prędkości wśród napędów przenośnych – transfery wynoszą przeszło 5 GBps.

Super Talent-USB-3.0-DRAM-Disk

poniedziałek, 04 sierpnia 2014

Pamięci combo DRAM Apacer

Radek Nimal | 10:47

Apacer przedstawił nowe układy łączące w sobie pamięć operacyjną i napęd SSD w postaci pojedynczych modułów DRAM DDR3.


apacer_combo_sdimm


środa, 12 lutego 2014

RAM odporny na wilgoć

Radek Nimal | 14:24

Innodisk wprowadził dzisiaj na rynek nowe pamięci DRAM pokryte warstwą dającą odporność na wilgoć, kurz oraz zanieczyszczenia. Kości przeznaczone są do zastosowań przemysłowych.



 innodisk-dram

wtorek, 17 września 2013

Straty w fabryce SK Hynix większe niż się spodziewano

Jarson | 20:17
W ubiegłym tygodniu Hynix poinformował, że niedawny pożar nie spowodował strat w kluczowych dla procesu produkcyjnego urządzeniach. Wygląda na to, że pomimo tego sprawy nie wyglądają najlepiej - uszkodzeniom uległa znaczna ilość mniej ważnego ekwipunku, nie tak cennego, ale i tak niezbędnego aby fabryki Fab 1 i Fab 2 działały. W związku z tym mówi się obecnie, że do momentu pełnego przywrócenia dostaw miną jeszcze miesiące.

SKH_01

środa, 26 czerwca 2013

Producenci półprzewodników szykują spore inwestycje na przyszły rok

Jarson | 22:49
Spoglądając na bieżący rok można odnieść wrażenie, że producenci półprzewodników nie mają się najlepiej - ich tegoroczne nakłady inwestycyjne mają wynieść łącznie 35,8 mld $, czyli o 5,5% mniej niż w 2012 roku (wówczas było to o 2 mld $ więcej). Najnowsze dane pokazują jednak, że wcale nie jest tak źle - na przyszły rok przewidywany jest bowiem dwucyfrowy wzrost wartości inwestycji, sięgający aż 14,2%.

ASML_450mm_wafer_FAB_01

wtorek, 02 kwietnia 2013

MRAM i PCM wiodącymi pamięciami nieulotnymi do roku 2018

Jarson | 23:34
Układy pamięci o wydajności porównywalnej do tej którą znamy z modułów RAM, jednak nie tracące zapisanych w nich danych po utracie zasilania to bardzo ważna, choć wolno rozwijająca się dziedzina elektroniki. Według najnowszych wyliczeń, do roku 2018 na tym polu mają dominować dwie już dziś bardzo obiecujące technologie - MRAM i PCM. Do tego czasu wartość rynku ma wynieść 2 mld $, co oznacza że do tego czasu przestanie być jedynie ciekawostką, a stanie rzeczywistą gałęzią przemysłu komputerowego.

Everspin_64Mb_ST-MRAM

« Older Entries  

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto