Samsung jest pierwszą firmą na świecie, która przedstawiła gotowe pamięci trzeciej generacji wykonane w procesie technologicznym 10 nm. Kości DDR4 oznaczone jako 1z-nm o pojemności 8 Gb znajdą zastosowanie w nadchodzących serwerach korporacyjnych oraz najdroższych modelach komputerów osobistych produkowanych w przyszłym roku.
Już po 16 miesiącach od rozpoczęcia produkcji 2. generacji pamięci 10 nm (1y-nm) o pojemności 8 Gb Samsung zaprezentował następcę. Udało się także wyeliminować potrzebę użycia procesu technologicznego EUV (Extreme Ultra-Violet) co pozwoliło na ponowne przesunięcie granicy miniaturyzacji układów.
Masowa produkcja nowych kości rozpocznie się w drugiej połowie bieżącego roku. Samsung już zapowiada, że w związku z wysokim i stale rosnącym zapotrzebowaniem na nowe rozwiązania będzie w stanie zapewnić podaż o 20% wyższą, niż w przypadku poprzedniej generacji pamięci 10 nm.
Nowe osiągnięcie otwiera też potencjalnie możliwość przejścia na opracowany właśnie proces technologiczny również w przypadku innych typów pamięci. Już wkrótce możemy zobaczyć nowe generacje pamięci DDR5, LPDDR5 i GDDR6 stosowanych w najróżniejszych urządzeniach i wysokowydajnych podzespołach komputerowych.
Źródło: Samsung