Dwie firmy chcą już w przyszłym roku zaprezentować nowe rozwiązania pamięci operacyjnych. Samsung oraz SK Hynix pracują nad HBM2 DRAM.
High Bandwidth Memory 2 wykorzystuje technologię TSV (Through Silicon Via) zapewniającą wyższe przepustowości. Pamięci HBM2 DRAm znajdą zastosowanie w kartach graficznych, super-komputerach, serwerach oraz urządzeniach sieciowych.
Pierwsze komercyjne rozwiązania HBM pracują z napięciem 1,2 V przy przepustowości 1 Gbps i wydajności 1 024 I/O. Pozwala to na przetworzenie 128 GB danych w ciągu sekundy – cztery razy szybciej niż w przypadku pamięci GDDR5. W przypadku HBM2 będzie to jeszcze szybciej – przepustowość wyniesie aż 2 Gbps, co pozwoli na przetworzenie 256 GBps.
Obie firmy, Samsung oraz SK Hynix, planują przedstawienie dokumentacji HBM2 DRAM w czasie konferencji International Solid-State Circuits Conference 2016. ISSCC odbędą się w San Francisco, rozpoczęcie nastąpi 31 stycznia. SK Hynix ma zamiar zaprezentować moduły 64 GB HBM2. Samsung za to przedstawi produkt o przepustowości aż 307 GBps.
Źródło: CDR Info