W 250 GB napędach półprzewodnikowych SSD Samsung z interfejsem SATA zaczęto stosować szóstą generację pamięci 3D V-NAND flash.

![]() |
||
NAGRYWARKI | PROGRAMY | TESTY | DYSKI TWARDE/SSD | BIOSY | ARTYKUŁY | FAQ | NAGRYWANIE od A do Z | ENCYKLOPEDIA | FORUM | Nośniki | Konsole | Zabezpieczenia płyt | Zaloguj |
W 250 GB napędach półprzewodnikowych SSD Samsung z interfejsem SATA zaczęto stosować szóstą generację pamięci 3D V-NAND flash.

Ranking dysków twardych

Samsung przedstawił nowe rozwiązania trójwymiarowych pamięci V-NAND flash. W erze szybkiej popularyzacji Internetu Rzeczy rośnie zapotrzebowanie na analizę informacji w czasie rzeczywistym.

Kości pamięci typu QLC zaczynają się przewijać w specyfikacjach zapowiadanych modeli SSD. Samsung planuje wprowadzenie 128 TB napędu za dwa lata. W międzyczasie odświeży także inne serie urządzeń.

Najnowsza fabryka pamięci Samsung, położona w Pyeongtaek w Korei Południowej, rozpoczęła właśnie masową produkcję kości pamięci 3D NAND flash o 64 warstwach.

Samsung rozpoczął masową produkcję kości pamięci 3D V-NAND flash posiadających aż 64 warstwy.




Nowe napędy Samsung SSD 850 EVO w postaci kart mSATA i M.2 wykorzystują pamięci 3-bit V-NAND (3D NAND flash).
Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.