Podczas, gdy standard GDDR5 do kart graficznych pojawił się już dekadę temu (fakt, z całkowitym pominięciem GDDR4), to w segmencie pamięci RAM w tym czasie  upowszechniły się dopiero kości DDR4. SK Hynix ma nadzieję to zmienić i wprowadzić pamięci DDR5 na rynek w ciągu dwóch najbliższych lat.

Hynix zbuduje w Hsinchu na Tajwanie nowe centrum R&D, które zajmie się rozwojem pamięci NAND flash. Obiekt powstający w mieście stanowiącym duży ośrodek przemysłowy ma pomóc korporacji w umacnianiu pozycji na rynku układów pamięci trwałej.

Od wczoraj w Korei Południowej trwają targi KES (Korea Electronics Show). Impreza ta jest niezwykle ważna, gdyż z tego kraju wywodzą się takie potęgi rynku elektronicznego, jak Samsung, LG czy też SK Hynix. Dzięki temu, mimo lokalnego charakteru imprezy, możemy tam podpatrzeć, co niedługo pojawi się na rynkach światowych.

W ubiegłym tygodniu Hynix poinformował, że niedawny pożar nie spowodował strat w kluczowych dla procesu produkcyjnego urządzeniach. Wygląda na to, że pomimo tego sprawy nie wyglądają najlepiej - uszkodzeniom uległa znaczna ilość mniej ważnego ekwipunku, nie tak cennego, ale i tak niezbędnego aby fabryki Fab 1 i Fab 2 działały. W związku z tym mówi się obecnie, że do momentu pełnego przywrócenia dostaw miną jeszcze miesiące.

SK Hynix jest już w pełni technologicznie gotowe do produkcji pierwszych układów pamięci, w których tranzystory ułożone są w stosy przy użyciu technologii VSAT (vertical-stacked-array-transistor). Nowoczesne chipy osiągają wielokrotnie większą pojemność niż ich standardowe, dwuwymiarowe odpowiedniki o tych samych parametrach (powierzchni, procesie technologicznym w jakim zostały wytworzone).

Firmy Samsung Electronics oraz SK Hynix planują zmniejszenie objętości produkcji pamięci flash NAND podobnie jak wcześniej ich rywal – Toshiba.

Hynix po wstępnych wyliczeniach zdecydował się nie przystępować jednak do aukcji na której będzie można zakupić prawa do korporacji Elpida Memory. Tym samym pozostało dwóch potencjalnych kupujących: Micron oraz grupa prywatnych inwestorów.

Toshiba poinformowała, że nie jest dłużej zainteresowana przejęciem Elpida Memory, japońskiego producenta modułów pamięci, który niedawno ogłosił bankructwo. Tym samym mniejszą konkurencję będą mieli dwie pozostałe korporacje zainteresowane dorobkiem intelektualnym i technologicznym Elpidy - Hynix i Micron. Wpływ na decyzję Toshiby mogło być zaangażowanie się w przebudowę fabryki na Tajlandii.

Zapotrzebowanie na pamięci NAND flash wciąż wzrasta. Potrzeba ich coraz więcej do smartfonów, tabletów i szerokiego spektrum innych urządzeń. Ostatnio producenci potrzebują ich sporo do komputerów w formacie intelowskich ultrabooków (która przeżywa swój renesans), a Apple do SSD w swoich "odchudzonych" MacBookach. W związku z tym najwięksi dostawcy masowo rozwijają zdolności produkcyjne tych układów; tak uczynił Hynix, który kończy w zakładzie w Wuxi produkcję chipów DRAM, a zaczyna NAND flash.

Południowokoreańska firma Hynix ogłosiła, że jej fabryka położona w Wuxi w Chinach (na zdjęciu) przestawia się z produkcji DRAM na NAND flash.

Dwóch znanych producentów pamięci flash zdecydowało się na obniżenie cen swoich produktów o 15%. Najpierw Kingston, a w dniu dzisiejszym również SanDisk, ogłosiły, że karty pamięci i pendrivy będą tańsze.

Układy MRAM są już od wielu lat opracowywane i mocno pożądane przez przemysł elektroniczny. Aby przyspieszyć prace nad tym właśnie rodzajem pamięci nieulotnej korporacje Toshiba i Hynix postanowiły połączyć swoje siły i podzielić się zdobytymi jak dotąd doświadczeniami.

Eplida i Sharp nawiązali współpracę w zakresie badań i wdrażania pamięci Resistive Random Access Memory (ReRAM). O technologii tej mówi się, że ma spore szanse zastąpić w przyszłości używane obecnie pamięci NAND flash. Pierwsze pamięci stworzone wspólnymi siłami przez obie firmy mają pojawić się na rynku w 2013 roku.

W południowokoreańskim mieście Cheo ngju w należącej do Hynixa fabryce M11 ruszyła produkcja 64 Gb układów pamięci NAND Flash, w których poszczególne bity zapisywane są w komórkach pamięci o wielkości zaledwie 20 nanometrów (czyli dwóch stumilionowych części metra). Nowe chipy wytwarzane są na standardowych, 300 mm waflach krzemowych.