Hynix wytwarza pamięci NAND Flash w 20nm procesie produkcyjnym

Jarson - wtorek, 10 sierpnia 2010, 19:39

W południowokoreańskim mieście Cheo ngju w należącej do Hynixa fabryce M11 ruszyła produkcja 64 Gb układów pamięci NAND Flash, w których poszczególne bity zapisywane są w komórkach pamięci o wielkości zaledwie 20 nanometrów (czyli dwóch stumilionowych części metra). Nowe chipy wytwarzane są na standardowych, 300 mm waflach krzemowych.



Jak podaje Hynix, produkcja pamięci w procesie technologicznym 2x nm jest o 60% wydajniejsza niż w procesie 3x nm, co pozwala uzyskać chipy o większej pojemności i niższej cenie w przeliczeniu na gigabajt.

Nowe układy znajdą zastosowanie w takich urządzeniach jak smartfony, tablety PC, czy pamięci SSD. Pierwsze produkty w których znajdą się te pamięci powinny znaleźć się na sklepowych półkach jeszcze w tym roku.

Źródło: Tech Connect

Tagi: , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto