Samsung jest pierwszą firmą na świecie, która przedstawiła gotowe pamięci trzeciej generacji wykonane w procesie technologicznym 10 nm. Kości DDR4 oznaczone jako 1z-nm o pojemności 8 Gb znajdą zastosowanie w nadchodzących serwerach korporacyjnych oraz najdroższych modelach komputerów osobistych produkowanych w przyszłym roku.

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM dedykowanych do stosowania w pojazdach w technologii 10 nm. Nowe moduły to 16 Gb kości LPDDR4X.

Intel zaprezentował wafle z kośćmi 3D NAND flash o 64 warstwach wytwarzane w procesie technologicznym 10 nm.

W czasie konferencji prasowej Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) zapowiedział plany stworzenia pilotażowej linii produkcyjnej wytwarzającej 450-mm wafle krzemowe (18-calowe) z tranzystorami FinFET w technologii litograficznej 7 nm oraz 10 nm.

Dziś Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji 3-bitowych kości pamięci MLC NAND flash o pojemności 128 Gbit.