FinFET 7 i 10 nm na 18-calowych waflach TSMC

Radek Nimal - niedziela, 12 maja 2013, 17:58

W czasie konferencji prasowej Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) zapowiedział plany stworzenia pilotażowej linii produkcyjnej wytwarzającej 450-mm wafle krzemowe (18-calowe) z tranzystorami FinFET w technologii litograficznej 7 nm oraz 10 nm.





By uzyskać taką rozdzielczość litografii wykorzystuje się EUV – światło „ekstremalnie ultrafioletowe”. Technologia ta ma rozpowszechnić się w 2017 roku. W związku z tym pilotowe linie produkcyjne TSMC mają ruszyć dopiero na przełomie 2016 i 2017 roku.

Jednocześnie JK Wang, wiceprezydent TSMC, zapowiedział stopniowe przesuwanie sił produkcyjnych firmy z wafli 300-mm na 450-mm. Do końca roku producent ten ma zamiar wytwarzać układy 28 nm na waflach 12-calowych w miesięcznej objętości 100 000 sztuk. W przyszłym roku ma zaś przestawić się na proces 20 nm.

Źródło: DigiTimes

Tagi: , , , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto