64 warstwy i 10 nm od Intela

Radek Nimal - wtorek, 17 października 2017, 11:17

Intel zaprezentował wafle z kośćmi 3D NAND flash o 64 warstwach wytwarzane w procesie technologicznym 10 nm.




Intel wdraża do produkcji tych wafli technologię FinFET Hyper Scaling pozwalającą na 2,7-razy gęstsze upakowanie tranzystorów w porównaniu do tradycyjnych wafli produkowanych w 10 nm. W dodatku 64 warstwy pozwalają na niebywałą gęstość upakowania danych.


Wszystko to razem pozwoli na produkcję bardzo wydajnych kości pamięci, które znajdą zastosowanie w SSD dedykowanych dla centrów danych oraz do najwydajniejszych (i tym samym najdroższych) napędów dla profesjonalistów.


Źródło: Storage Review

Tagi: , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto