Dziś Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji 3-bitowych kości pamięci MLC NAND flash o pojemności 128 Gbit.
Te szybkie i wydajne pamięci znajdą zastosowanie jako pamięć wbudowana oraz jako moduły w topowych seriach napędów SSD. Transfery dla pojedynczego chipa osiągają 400 Mbps dzięki interfejsowi DDR2.
Poprzednie kości o pojemności 64 Gbitów zostały zaprezentowano w listopadzie zeszłego roku. Są one produkowane w procesie 20 nm. Po zaledwie pięciu miesiącach Samsung wprowadził ich dwukrotnie pojemniejszego następcę o znacznie większym upakowaniu danych. Pozwala to oczekiwać znacznego poprawienia się dostępności najpojemniejszych kart pamięci (SDXC 128 GB) i spadku ich cen.
Źródło: Yahoo