Natura człowieka jest taka, że jeszcze nie zdąży dobrze nacieszyć się jednym osiągnięciem, a już myśli o kolejnym. Nie inaczej jest z dyskami SSD, które same w sobie stanowiły przełom w technologii przechowywania danych, a obecnie wiele osób sięga marzeniami i oczekiwaniami daleko poza nie. Eksperci studzą jednak ten zapał, mówiąc że choć nowe jest w drodze, to jest to jeszcze droga bardzo daleka.

Technologia ReRAM zapowiada kolejną rewolucję w komputerach. Te nieulotne pamięci cechuje wydajność na poziomie porównywalnym z modułami RAM i pojemność typowa dla układów NAND flash. Rozwiązanie rozwijane jest od lat, ale tak naprawdę wciąż jest w powijakach. Sony zapowiada, że zmieni się to w roku 2015, kiedy korporacja rozpocznie masową produkcję pierwszych 16-gigabitowych chipów.

Panasonic jako pierwszy producent na świecie uruchamia produkcję na masową skalę mikrokomputerów korzystających z nieulotnych pamięci ReRAM. Cały proces ruszy pełną parą jeszcze w tym miesiącu.

W dniu dzisiejszym firmy SanDisk i Toshiba poinformowały o wspólnym opracowaniu 32 Gb dwuwarstwowych modułów pamięci cross-point ReRAM.

Badaczom z University College London udało się opracować układ pamięci typu Resistive RAM, który może pracować w standardowych warunkach, a nie w próżni jak dotychczas budowane prototypy. Dokonanie jest kolejnym krokiem do dopracowania technologii, którą wielu uważa za przyszłość przechowywania danych. Warto pamiętać, że pamięci ReRAM mogą potencjalnie pracować z wydajnością setki razy wyższą niż popularne dziś układy pamięci NAND flash.

W dniu dzisiejszym Elpida Memory przedstawiła prototyp pamięci ReRAM. Komórka pamięci oferowała pojemność 64 Mbit, czyli bliską granicznej dla tej technologii. Wytworzone były w technologii 50 nm. Pamięci ReRAM w odróżnieniu od zwykłego RAM zachowują zawartość pomimo odłączenia od źródła zasilania.

Eplida i Sharp nawiązali współpracę w zakresie badań i wdrażania pamięci Resistive Random Access Memory (ReRAM). O technologii tej mówi się, że ma spore szanse zastąpić w przyszłości używane obecnie pamięci NAND flash. Pierwsze pamięci stworzone wspólnymi siłami przez obie firmy mają pojawić się na rynku w 2013 roku.