Technologia ReRAM zapowiada kolejną rewolucję w komputerach. Te nieulotne pamięci cechuje wydajność na poziomie porównywalnym z modułami RAM i pojemność typowa dla układów NAND flash. Rozwiązanie rozwijane jest od lat, ale tak naprawdę wciąż jest w powijakach. Sony zapowiada, że zmieni się to w roku 2015, kiedy korporacja rozpocznie masową produkcję pierwszych 16-gigabitowych chipów.
Wcześniej Sony rozważało użycie przy tworzeniu układów nowej generacji technologii CBRAM (conductive bridge RAM), która była o tyle obiecująca, że potwierdzono możliwość docelowego użycia procesu technologicznego zaledwie 10 nm przy tworzeniu chipów. Rozwiązanie, korzystające z mostków z atomów metalu uformowanych pomiędzy elektrodami, okazało się jednak kłopotliwe w realizacji na masową skalę i Sony związało się z Micronem, aby uzyskać wystarczającą wielkość produkcji.
W przypadku układów ReRAM klasy 16 gigabitów (czyli 2 GB) Sony planuje wykorzystać proces technologiczny ok. 20 nm, czyli podobny do tego w jakim dziś tworzy się najbardziej zaawansowane pamięci NAND flash. Oznacza to podobną wielkość układów przy tej samej pojemności, a ponadto niewielkie zużycie energii.
Źródło: CDRinfo.com