W dniu dzisiejszym firmy SanDisk i Toshiba poinformowały o wspólnym opracowaniu 32 Gb dwuwarstwowych modułów pamięci cross-point ReRAM.
Dzięki unikatowej architekturze gęstość upakowania danych jest aż 500 razy wyższa niż w przypadku zaprezentowanych w 2010 roku modułów 64 Mb przez Unity Semiconductor Corp – dotychczasowego rekordzistę.
Nowe chipy produkowane są w technologii 24 nm. Powierzchnia efektywna układu to 130,7 mm² a rozmiar strony to 2 KB. Opóżnienie odczytu wynosi 40μs a zapisu 230μs. Układy mające docelowo zastąpić pamięci NAND flash wyposażono w interfejsy z nimi kompatybilne. Mimo to komercjalizacja ReRAM zajmie raczej sporo czasu. Na razie brak oficjalnych danych na temat wytrzymałości pamięci oraz kosztów masowej ich produkcji.
Źródło: TechOn