W dniu dzisiejszym Elpida Memory przedstawiła prototyp pamięci ReRAM. Komórka pamięci oferowała pojemność 64 Mbit, czyli bliską granicznej dla tej technologii. Wytworzone były w technologii 50 nm. Pamięci ReRAM w odróżnieniu od zwykłego RAM zachowują zawartość pomimo odłączenia od źródła zasilania.
Podobną właściwość mają pamięci NAND flash. Jednak nie oferują one wystarczającej wydajności ani wytrzymałości na powtarzające się cykle zapisu. ReRAM zapisuje dane w 10 ns, czyli z taką samą prędkością jak moduły DRAM. Wytrzymałość oceniana jest na ponad milion cykli.
Technologia ReRAM i prototypowy moduł zaprezentowany przez Elpida opracowane zostały we współpracy z New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO). Dalsze prace będą prowadzone wraz z Sharp Corporation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) oraz University of Tokio (Uniwersytet Tokijski).
Elpida planuje masowa produkcję modułów ReRAM o gigabitowych pojemnościach używając procesu technologicznego 30 nm. Masowa produkcja oznacza obniżenie kosztów jednostkowych. Pamięci ReRAM umożliwią obniżenie konsumpcji energii i możliwość szybkiego zapisu. Mogą stanowić ciekawą alternatywę dla pamięci wbudowanych w urządzeniach przenośnych, takich jak smartfony czy tablety, oraz w ultrabookach.
Źródło: Elpida