Newsy z tagiem 20nm
sobota, 20 października 2012
Intel SSD serii 335
Radek Nimal | 20:51W Japonii już dziś ruszyła sprzedaż nowego napędu SSD Intela bazującego na pamięciach 20 nm – serii 335 (w cenie 15 480 czyli około 615 PLN). Reszta świata będzie go mogła nabyć w przyszłym miesiącu.
Ranking dysków twardych
- Seagate Enterprise NAS HDD ST8000NE0001 (8000 GB, 256 MB)
218 MB/s - dodał: Rudzik99 - Western Digital WD Red Pro WD6002FFWX (6000 GB, 128 MB)
208.7 MB/s - dodał: Rudzik99 - Seagate Barracuda ST3000DM001 (3000 GB, 64 MB)
188.6 MB/s - dodał: YOCO - Seagate SV35.6 ST3000VX000 (3000 GB, 64 MB)
183.7 MB/s - dodał: haynor - Seagate Archive HDD ST8000AS0002 (8000 GB, 128 MB)
183.6 MB/s - dodał: PeCetoLog - Seagate Barracuda ST1000DM003 (1000 GB, 64 MB)
179.2 MB/s - dodał: krupniok200 - Seagate Enterprise Value (Constellation CS) ST3000NC000 (3000 GB, 64 MB)
175.2 MB/s - dodał: Misiek4 - Seagate Enterprise Value (Constellation CS) ST3000NC002 (3000 GB, 64 MB)
173.8 MB/s - dodał: Misiek4 - Seagate Barracuda ST2000DM001 (2000 GB, 64 MB)
169.1 MB/s - dodał: sap - Seagate Enterprise Capacity (Constellation ES.3) ST4000NM0033 (4000 GB, 128 MB)
164.4 MB/s - dodał: Misiek4
Zestawienie dysków twardych i SSD | Wyszukiwarka dysków twardych i SSD
wtorek, 06 grudnia 2011
Pierwszy chip NAND Flash 128Gb w technologii 20nm
Radek Nimal | 22:42W dniu dzisiejszym Intel Corporation oraz Micron Technology ogłosiły wyprodukowanie pierwszego chipa MLC 128 gigabitowego wytworzonego w technologii 20nm. Jednocześnie rozpoczęto masową produkcję 64 Gb NAND Flash w technologii 20nm.
środa, 13 października 2010
Samsung rozpoczął produkcję 64 Gb pamięci 3-bit NAND flash w 20 nm procesie technologicznym
Jarson | 23:59Samsung poinformował dziś, że jako pierwszy producent rozpoczął produkcję pamięci 3-bit-cell w procesie technologicznym 20 nm. Zaawansowane układy mają pojemność 64 Gb (8 GB) i mają znaleźć zastosowanie m. in. w pamięciach USB i kartach pamięci Secure Digital (SD).
wtorek, 10 sierpnia 2010
Hynix wytwarza pamięci NAND Flash w 20nm procesie produkcyjnym
Jarson | 19:39W południowokoreańskim mieście Cheo ngju w należącej do Hynixa fabryce M11 ruszyła produkcja 64 Gb układów pamięci NAND Flash, w których poszczególne bity zapisywane są w komórkach pamięci o wielkości zaledwie 20 nanometrów (czyli dwóch stumilionowych części metra). Nowe chipy wytwarzane są na standardowych, 300 mm waflach krzemowych.
