Inżynierowie z Uniwersytetu Johnsa Hopkinsa odkryli dotąd nieznane właściwości powszechnie używanego w produkcji płyt CD-RW i DVD-RW materiału zwanego GST. Otóż przy zastosowaniu na powierzchni warstwy nagrywalnej wysokiego ciśnienia (poprzez przyłożenie narzędzi wyprofilowanych na kształt diamentu) naukowcy doprowadzili do zmian w obrębie właściwości charakterystyki oporowości elektrycznej materiału, które mogą uczynić GST jeszcze bardziej przydatnym w przemyśle komputerowym i elektronicznym niż obecnie.

Eksperci z IBM dokonali kolejnego kroku naprzód na drodze rozwoju pamięci zmiennofazowych (Phase Change Memory - PCM). Dotychczas w tej technologii tworzono moduły, w których na jedną komórkę przypadał jeden bit danych (single-level-cell), teraz natomiast udało się stworzyć komórki mieszczące wiele (czyli jak na początek - dwa) bitów.

Widoczne na zdjęciu poniżej urządzenia, choć na pierwszy rzut oka przypominają konwencjonalne dyski SSD, w rzeczywistości są nowym rozwiązaniem, nie mającym wiele wspólnego z nośnikami opartymi o układy NAND flash. Opracowane w Departamencie Nauk Komputerowych i Inżynierii Uniwersytetu w San Diego nośniki są prototypowymi modelami wykorzystującymi pamięci typu PCM (phase-change memory).