Naukowcy z IBM stworzyli pamięć zmiennofazową mieszczącą wiele bitów w pojedynczej komórce

Eksperci z IBM dokonali kolejnego kroku naprzód na drodze rozwoju pamięci zmiennofazowych (Phase Change Memory - PCM). Dotychczas w tej technologii tworzono moduły, w których na jedną komórkę przypadał jeden bit danych (single-level-cell), teraz natomiast udało się stworzyć komórki mieszczące wiele (czyli jak na początek - dwa) bitów.



Największą przewagą pamięci PCM nad powszechnie dziś stosowanymi układami NAND flash jest prędkość odczytu i zapisu danych. Znacznie wyższa jest też trwałość komórek przy ich intensywnym nadpisywaniu - podczas gdy 25 nm układy MLC NAND flash wytrzymują tylko ok. 3 tysiące cykli zapisu (a układy SLC tworzone w starszych procesach produkcyjnych do 10 tysięcy), komórki w pamięciach zmiennofazowych można nadpisywać ponad 10 milionów razy.

Prototypowy chip IBM został stworzony przy użyciu technologii CMOS w 90-nanometrowym procesie technologicznym. Podczas przeprowadzania na nim operacji zapisu największe opóźnienia wynosiły ok. 10 mikrosekund, a więc i tak były stukrotnie mniejsze niż w najbardziej nawet zaawansowanych stosowanych dziś pamięciach flash.

Wielkość komórki rzędu 90 nm to za dużo, żeby tworzyć pojemne nośniki pamięci, stąd przez produkcją na skalę masową konieczne będzie znaczne zwiększenie gęstości upakowania danych. Ustalenie, że pamięci PCM mogą mieścić więcej niż jeden bit danych w komórce może bardzo pomóc w tym procesie, gdyż umożliwia zwielokrotnienie (zwykle podwojenie) pojemności przy zastosowaniu tego samego procesu produkcyjnego.

Szacuje się, że przy zachowaniu stałego tempa rozwoju pamięci zmiennofazowych mogą one stać się realną alternatywą dla układów NAND flash w przeciągu najbliższych 4-5 lat.