nvNITRO to nowe karty PCIe przyspieszające pracę komputerów produkowane przez SMART. Wykorzystują one technologię MRAM.

Everspin zaprezentował nowe karty SSD PCIe nvNITRO bazujące na technologii MRAM.

Everspin Technologies przedstawił w czasie OpenPOWER Summit pierwsze pamięci Spin Torque DDR3 MRAM.

Układy pamięci o wydajności porównywalnej do tej którą znamy z modułów RAM, jednak nie tracące zapisanych w nich danych po utracie zasilania to bardzo ważna, choć wolno rozwijająca się dziedzina elektroniki. Według najnowszych wyliczeń, do roku 2018 na tym polu mają dominować dwie już dziś bardzo obiecujące technologie - MRAM i PCM. Do tego czasu wartość rynku ma wynieść 2 mld $, co oznacza że do tego czasu przestanie być jedynie ciekawostką, a stanie rzeczywistą gałęzią przemysłu komputerowego.

Toshiba Corporation przedstawiła dzisiaj prototypowe pamięci STT-MRAM (pamięci o dostępie swobodnym wykorzystujące tunelowy efekt magnetooporu) cechujące się wyjątkowo niskim zużyciem energii – najniższym dotychczas notowanym w historii.

Everspin Technologies zaprezentowała pierwsze na świecie moduły ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive Random Access Memory) – nowy typ pamięci flash o niezwykle krótkim opóźnieniu, stanowiące alternatywę dla nieulotnych chipów pamięci DRAM.

Układy MRAM są już od wielu lat opracowywane i mocno pożądane przez przemysł elektroniczny. Aby przyspieszyć prace nad tym właśnie rodzajem pamięci nieulotnej korporacje Toshiba i Hynix postanowiły połączyć swoje siły i podzielić się zdobytymi jak dotąd doświadczeniami.

Eplida i Sharp nawiązali współpracę w zakresie badań i wdrażania pamięci Resistive Random Access Memory (ReRAM). O technologii tej mówi się, że ma spore szanse zastąpić w przyszłości używane obecnie pamięci NAND flash. Pierwsze pamięci stworzone wspólnymi siłami przez obie firmy mają pojawić się na rynku w 2013 roku.