Everspin Technologies zaprezentowała pierwsze na świecie moduły ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive Random Access Memory) – nowy typ pamięci flash o niezwykle krótkim opóźnieniu, stanowiące alternatywę dla nieulotnych chipów pamięci DRAM.
Pierwszy chip pamięci ST-MRAM oferowany przez Everspin ma 64 Mb. Jest 500 razy szybszy od NAND flash i ma wytrzymałość typowych pamięci DRAM. Pojedynczy chip oferuje wydajność dla zapisu pliku 4K na poziomie 400 000 IOPS, podczas gdy dla standardowych pamięci NAND flash wynosi on 800 IOPS (znacznie wyższe współczynniki znane z napędów SSD wynikają z grupowania chipów odpowiednio w bloki). Niestety, z powodu kosztów produkcji, ST-MRAM nie zawita do napędów magazynujących dane zbyt szybko. Koszt ich produkcji jest na tą chwilę 50-razy wyższy niż zwykłych NAND flash.
Everspin produkuje chipy ST-MRAM w waflach 200 mm w swoich fabrykach w Arizonie. Niedługo ma uruchomić linię 300 mm wafli. Firma przewiduje, że spadek kosztów wytwarzania pozwoli zrównać się w cenie z kośćmi DRAM w przeciągu najbliższych pięciu lat. Everspin prowadzi rozmowy z producentami podzespołów w celu rozpoczęcia szerokiego stosowania nowych pamięci, co umożliwi ich rozwój pociągający za sobą spadek cen.
Źródło: Computer World