Dzisiaj SanDisk przedstawił nową generację pamięci wbudowanych do urządzeń przenośnych – iNAND Extreme.
Newsy z tagiem inand extreme
poniedziałek, 24 lutego 2014
Szybka pamięć eMMC – SanDisk iNAND Extreme
Radek Nimal | 13:01Ranking dysków twardych
- Seagate Enterprise NAS HDD ST8000NE0001 (8000 GB, 256 MB)
218 MB/s - dodał: Rudzik99 - Western Digital WD Red Pro WD6002FFWX (6000 GB, 128 MB)
208.7 MB/s - dodał: Rudzik99 - Seagate Barracuda ST3000DM001 (3000 GB, 64 MB)
188.6 MB/s - dodał: YOCO - Seagate SV35.6 ST3000VX000 (3000 GB, 64 MB)
183.7 MB/s - dodał: haynor - Seagate Archive HDD ST8000AS0002 (8000 GB, 128 MB)
183.6 MB/s - dodał: PeCetoLog - Seagate Barracuda ST1000DM003 (1000 GB, 64 MB)
179.2 MB/s - dodał: krupniok200 - Seagate Enterprise Value (Constellation CS) ST3000NC000 (3000 GB, 64 MB)
175.2 MB/s - dodał: Misiek4 - Seagate Enterprise Value (Constellation CS) ST3000NC002 (3000 GB, 64 MB)
173.8 MB/s - dodał: Misiek4 - Seagate Barracuda ST2000DM001 (2000 GB, 64 MB)
169.1 MB/s - dodał: sap - Seagate Enterprise Capacity (Constellation ES.3) ST4000NM0033 (4000 GB, 128 MB)
164.4 MB/s - dodał: Misiek4
Zestawienie dysków twardych i SSD | Wyszukiwarka dysków twardych i SSD
czwartek, 19 września 2013
Szybka pamięć wewnętrzna SanDisk iNAND Extreme
Radek Nimal | 17:35Specjalnie z myślą o zaprezentowanej w zeszłym tygodniu platformie Intel Atom Bay Trail (układy SoC dla urządzeń przenośnych) SanDisk zaprezentował pamięci wewnętrzne EFD (embedded flash drive) iNAND Extreme.
wtorek, 26 lutego 2013
Referencyjne tablety z Tegra 4 korzystają z pamięci SanDisk iNAND Extreme
Radek Nimal | 23:37Szybkie procesory wymagają szybkich pamięci, by rozwinąć skrzydła. Dziś SanDisk poinformował, że tablety referencyjne, pokazujące możliwości nowego chipa Nvidia Tegra 4, korzystają z pamięci iNAND Extreme.
środa, 06 czerwca 2012
SanDisk iNAND Extreme – pamięci w 19 nm
Radek Nimal | 00:20Znany producent pamięci, SanDisk Corporation, zaprezentował zaawansowane pamięci flash stworzone w technologii 19 nm iNAND Extreme. Będą one służyły do produkcji najszybszych pamięci wbudowanych.
