SanDisk iNAND Extreme – pamięci w 19 nm

Radek Nimal - środa, 06 czerwca 2012, 00:20

Znany producent pamięci, SanDisk Corporation, zaprezentował zaawansowane pamięci flash stworzone w technologii 19 nm iNAND Extreme. Będą one służyły do produkcji najszybszych pamięci wbudowanych.





Kości te produkowane są w pojemnościach od 16 GB do 128 GB. Maja wymiary 12 x 16 mm. Osiągają prędkości zapisu 45 MBps i odczytu 100 MBps. Spełniają wymagania najnowszej specyfikacji e.MMC 4.5.

Pamięci te wychodzą naprzeciwko rosnącym wymaganiom stawianym przez coraz szybsze podzespoły wykorzystywane w urządzeniach mobilnych, takie jak np. czterordzeniowe procesory Tegra 3. Nowe kości pamięci są w stanie zapewnić transfer danych na poziomie nie powodującym opóźnień – w końcu całe urządzenie jest tak szybkie, jak jego najwolniejszy podzespół.

Źródło: TechPowerUp

Tagi: , , , , , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto