Szybka pamięć wewnętrzna SanDisk iNAND Extreme

Radek Nimal - czwartek, 19 września 2013, 17:35

Specjalnie z myślą o zaprezentowanej w zeszłym tygodniu platformie Intel Atom Bay Trail (układy SoC dla urządzeń przenośnych) SanDisk zaprezentował pamięci wewnętrzne EFD (embedded flash drive) iNAND Extreme.





Moduły iNAND Extreme dostępne są w pojemnościach do 128 GB. Oferują prędkości 45 MBps przy zapisie i 150 MBps przy odczycie. Współczynniki wydajności wynoszą, odpowiednio, 800 IOPS i 4 000 IOPS.

Układy opracowano z myślą o współpracy z Intel Atom Z3000 – najnowszym procesorze Bay Trail. Ma on napędzać najszybsze tablety z Androidem i Windows 8. Nowe moduły pamięci iNAND Extreme w połączeniu z szybkim CPU pozwolą na płynne odtwarzanie video wysokich rozdzielczości, szybsze uruchamianie aplikacji i błyskawiczne synchronizowanie danych.

Rynek tabletów cały czas rośnie. W bieżącym roku zanotowano wzrost o 55% w porównaniu do poprzedniego. Według przewidywań a osiągnąć 180 milionów tabletów do końca 2013.

Źródło: The Wall Street Journal

Tagi: , , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto