Samsung rozpoczął produkcję 64 Gb pamięci 3-bit NAND flash w 20 nm procesie technologicznym

Samsung poinformował dziś, że jako pierwszy producent rozpoczął produkcję pamięci 3-bit-cell w procesie technologicznym 20 nm. Zaawansowane układy mają pojemność 64 Gb (8 GB) i mają znaleźć zastosowanie m. in. w pamięciach USB i kartach pamięci Secure Digital (SD).



"Samsung wiele razy przynosił na rynek wiodące rozwiązanie w zakresie pamięci NAND flash, w tym jako pierwszy zaprezentował w październiku zeszłego roku 30-nm 3-bitowe układy pamięci" - powiedział dziś Seijin Kim, viceprezydent Działu Planowania i Wdrażania Pamięci Flash w Samsungu. "Wchodząc obecnie w etap masowej produkcji 64 Gb układów 3-bit w 20 nm procesie technologicznym spodziewamy się przyspieszyć adaptację rynkową naszych wysokowydajnych rozwiązań NAND, które wykorzystują technologię Toggle DDR, do zastosowań w których ważne są przy tym wysokie pojemności" - mówi Kim.

Układy o pojemnościach 8 GB (czyli 64 Gb) będą używane do produkcji pojemnych pendrive'ów, kart pamięci i dysków SSD, a także smartfonów ze znaczną ilością pamięci wewnętrznej. Dotychczas w urządzeniach z wyższej półki używano modułów o pojemności dwukrotnie niższej - 4 GB.

W 20-nm procesie technologicznym Samsung może produkować o 60% więcej układów niż przy użyciu poprzedniego, 30-nm procesu. Moduły mają ponadto wyższą wydajność dzięki zastosowaniu specyfikacji Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0 (w poprzednich chipach było to SDR - Single Data Rate).