W Seulu odbyła się konferencja Memory Solution CIO Forum. W czasie jej trwania Samsung zaprezentował nowe pamięci flash produkowane w technologii 20 nm. Green Memory, jak je nazwano, to zarówno pamięci RAM DDR3, jak i napędy SSD z SATA III 6 Gbps.
Mniejsze wymiary komórek to mniejsze zużycie energii. Wdrożenie technologii 20 nm do produkcji zarówno pamięci ulotnych, takich jak wykorzystywane w RAM, jak i nieulotnych, tych z SSD, to spore oszczędności z globalnego punktu widzenia. Oznaczają też wzrost pojemności i mniejsze problemy z produkcją i tym samym odprowadzaniem ciepła. Wiceprezydent Samsunga, Wanhoon Hong, zapewniał, że firma będzie nadal dążyła do tworzenia coraz wydajniejszych i przyjaznych środowisku rozwiązań.
Pamięci 20 nm w porównaniu do dominujących obecnie w serwerach 40 nm wyróżniają się sześciokrotnie wyższą wydajnością przy jednoczesnym spadku konsumpcji energii o 20%. Samsung przedstawił moduły pamięci 20 nm 2 Gb DDR3 DRAM już we wrześniu ubiegłego roku. Miesiąc temu zaprezentował moduły 4 Gb. Wymiana starej pamięci RAM 40 nm 4 GB DDR3 na nową 20 nm 4 GB DDR3 przy jednoczesnej zamianie HDD na nowoczesny SSD 20 nm 250 GB w laptopie da wydajność porównywalną z aktualnymi modelami ultrabooków i wydłuży czas pracy na baterii o około godzinę (przykład z oświadczenia Samsunga).
Źródło: CDRinfo