Od dziesiątek lat cały przemysł elektroniczny swój rozwój opiera na tworzeniu coraz to mniejszych tranzystorów, dzięki czemu na tej samej powierzchni można ich zmieścić więcej. Spopularyzowane mniej więcej dekadę temu pamięci NAND flash rozwijają się w ten sam sposób (tu zmniejszane są komórki pamięci), jednak jest jeszcze druga droga do rozwoju, czyli zwiększania pojemności - nakładanie na siebie wielu warstw komórek pamięci. Toshiba już w 2014 roku chce tę metodę zastosować w praktyce i na dużą skalę.
Obecnie wprowadzanie coraz bardziej zaawansowanych procesów technologicznych jest w przypadku pamięci NAND flash najlepszym, bo najtańszym rozwiązaniem. Producenci nie muszą stosować żadnych nowych rozwiązań w architekturze układów, a wszystkie koszty sprowadzają się do opracowania metody na zmniejszenie rozmiaru pojedynczej komórki pamięci. Do czasu - wraz ze zbliżaniem się komórek pamięci do rozmiarów atomowych w ich stabilnym działaniu zaczynają przeszkadzać nowe zjawiska elektryczne, które w końcu uniemożliwią dalszy rozwój.
Koncepcja z nakładaniem na siebie kolejnych warstw komórek pamięci jako metody na zwiększanie pojemności bez zwiększania powierzchni układu wydaje się być idealnym rozwiązaniem. Jak widać Toshiba rozwiązała już problemy pojawiające się (jak zawsze) przy zastosowaniu nowego rozwiązania i takie czipy są już niemal gotowe do seryjnej produkcji. Producent zapowiada już przewidywany termin tego wydarzenia. Jak mówi Hisao Tanaka, CEO Toshiby: "nie zdecydowaliśmy jeszcze dokładnie kiedy zacząć masową produkcję, jednak planujemy uczynić to na końcu bieżącego roku fiskalnego (który kończy się w marcu 2014) lub na początku przyszłego".
"Stworzymy czipy o wielkości (powierzchni) która może nie zostać nigdy osiągnięta przez naszych konkurentów" - zapowiada pan Tanaka. "Proszę, nie mówicie, że jesteśmy pół roku za Samsungiem" - dodaje, odnosząc się do krążących opinii mówiących o tym, że w kwestii zdolności do produkcji nowego rodzaju pamięci prym na rynku wiedzie Samsung.
Jeszcze zanim Toshiba zajmie się produkcją pamięci 3D NAND, wprowadzi dwa kolejne procesy technologiczne z zakresu 1x nm (czyli takie, gdzie rozmiar komórki pamięci wynosi od 10 do 19 nm). Będą to procesy obecnie określane jako 1Znm i 1Ynm. Oba będą prawdopodobnie opierały się na komórkach pamięci tej samej wielkości co obecne, należące do drugiej generacji produktów 1xnm - czyli 19 nm. Różnica nie będzie więc polegała na wielkości a raczej stopniu zaawansowania układów.
Trójwymiarowe układy otrzymały nazwę BiCS (bit-cost scalable). Ich rozwój, przynajmniej na początku, będzie szedł w parze z dalszymi pracami nad kolejnymi procesami technologicznymi układów NAND flash - eksperci są zdania, że technologia umożliwia, po rozwiązaniu pewnych problemów, na zejście do wielkości komórek pamięci rzędu poniżej 10, a może nawet i 5 nm.
Źródło: CDRinfo.com