Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci 3D V-NAND flash – pierwszych trójwymiarowych pamięci MCL 3-bitowych zorganizowanych pionowo.
Nowe kości pamięci przeznaczone są do użycia w napędach SSD. Każdy chip ma pojemność 128 Gb. Każda komórka pamięci jest elektrycznie połączona z nieprzewodzącą warstwą izolatora przy wykorzystaniu technologii CTF – pułapki ładunku elektrycznego. Każda tablica komórek ma połączenie pionowe do innych tablic w chipie.
Samsung produkuje obecnie pamięci 3-bitowe MLC w technologii 1x nm. Chipy mają po 32 warstwy komórek pamięci. Jest to już druga generacja układów trójwymiarowych pamięci NAND flash od czasu premiery technologii w 2012 roku.
Źródło: Samsung