Dziś Samsung Eletronics poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych na świecie pamięci V-NAND flash. Vertical (pionowe) NAND to kości budowane w trzech wymiarach na waflu krzemowym.
Dotychczas pamięci NAND flash wykorzystywały płaską strukturę. Rosnące wymagania w stosunku do pojemności skutkowały zmniejszaniem wymiarów komórek. Już teraz stosuje się układy wykonane w procesie technologicznym 10 nm. W tej skali pojawiają się jednak efekty subatomowe i interferencje. Swobodne przeskakiwanie elektronów pomiędzy komórkami może prowadzić do błędów odczytu a wytwarzane przez nie pole zakłóca odczyt ładunków sąsiednich komórek matrycy.
Nowe pamięci V-NAND wykonane są w technice 3D Charge Trap Flash (CTF) opracowanej już w roku 2006. Tablica komórek pamięci ma strukturę trójwymiarową. Ładunek elektryczny więziony jest chwilowo w komorze otoczonej nieprzewodzącą powierzchnią zrobioną z azotku krzemu (SiN). Zapobiega to interferencjom z sąsiednimi komórkami pamięci.
Nowe pamięci Samsunga wykorzystują 24 warstwy komórek pamięci. Połączone są one specjalnymi konektorami przechodzącymi przez wszystkie warstwy. W porównaniu do zwykłych pamięci flash nie tylko poprawia się niezawodność zapisu (od 2 do 10 razy) dzięki wyeliminowaniu interferencji, ale także podwaja się prędkość transferu (w stosunku do pamięci konwencjonalnych 10 nm).
Samsung inwestował w rozwój trójwymiarowych pamięci NAND flash od 10 lat. W tej chwili posiada ponad 300 patentów związanych z tą technologią. Obecnie rozpoczął produkcję układów 128 Gb. Jednocześnie zapowiada wprowadzenie bardziej zaawansowanych chipów – nawet 1 Tb.
Źródło: Reteurs