Samsung poinformował dziś, że ma już pierwsze próbki układów pamięci NAND flash wytworzonych w 20nm procesie produkcyjnym. Chipy mogą zostać użyte do tworzenia kart SD oraz jako wewnętrzna pamięć urządzeń przenośnych. Jak podaje południowokoreańska korporacja, 20nm proces produkcyjny pozwala na produkcję układów o pojemności o 50% większej niż w przypadku obecnie stosowanego 30nm procesu, przy zachowaniu podobnej niezawodności. Nowa technologia pozwoli na produkcję kart SD o prędkości zapisu ok. 10 MB/s.
"Minął zaledwie rok od wdrożenia 30nm procesu produkcyjnego, a Samsung jest już w posiadaniu układów nowej generacji, które zaspokoją zapotrzebowanie większości konsumentów na wydajne i pojemne nośniki pamięci" - mówi Pan Soo-In Cho z Działu Pamięci Samsunga. "Nowe 20nm pamięci NAND to nie tylko znaczący krok naprzód w projektowaniu układów tego typu, ale również wprowadzenie do niech zaawansowanych technologii pozwalających na uzyskanie znacznego wzrostu wydajności" - mówi Soo-In Cho.
Samsung obecnie produkuje pierwsze chipy o pojemności 32 Gb. Ich masowa produkcja ma rozpocząć się jeszcze w tym roku. Na ich bazie powstaną m.in. karty Secure Digital High Capacity o pojemnościach od 4 do 32 GB oraz 64 GB SD eXtended Capacity.
Pierwsze próbki 20nm pamięci NAND flash Samsunga już gotowe
Jarson - poniedziałek, 19 kwietnia 2010, 12:59 Źródło: Tech Connect
Komentarze (3)
Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.
Secure Digital High Capacity o pojemnościach od 4 do 64 GB ? Przeciez standard SDHC konczy sie na 32GB potem to juz jest SDXC
Racja 🙂
A ja mam pytanie techniczne.
Czy czytnik od TPSA będzie działał z kartami SDHC 4GB i większe?? Bo nie chcę kupować w ciemno. Teraz używam na nim kingstona SD 2GB.