Dzisiaj Toshiba poinformowała o opracowaniu pierwszych na świecie pamięci NAND flash 15 nm.
Pamięci produkowane w technologii 15 nm będą zapisywać 2 bity na komórkę. Kości mają pojemność 128 gigabitów, czyli 16 GB. Masowa produkcja rozpocznie jeszcze w bieżącym miesiącu w fabryce Fab 5 Yokkaichi Operations należącej do Toshiby. Zastąpi ona produkowane tam obecnie kości pamięci NAND flash 19 nm.
Nowe kości oferują tą samą prędkość zapisu co wytwarzane dotychczas pamięci 19 nm, ale transfery przy odczycie zostały podniesione do 533 Mbps (1,3 x szybciej). Teraz Toshiba pracuje nad implementacją technologii 15 nm do produkcji pamięci 3 bity na komórkę. Masowa produkcja planowana jest na czerwiec bieżącego roku.
Źródło: Market Watch
Ciekawe kiedy przekroczą technologie 1nm? 😉