Toshiba zaprezentowała pamięci NAND flash o pojemności 128 Gb produkowane w procesie technologicznym 19 nm.
Na zdjęciu powyżej znajduje się przedstawiony przez Toshibę 300 mm wafel z kośćmi pamięci 128 Gbit 19 nm. Są to układy Multiple-Level Cell (MLC) – 3 bity na komórkę pamięci. Niestety z uwagi na dziesięciokrotnie mniejszą żywotność takich układów w stosunku do pamięci korzystających z 2 bitów na komórkę mogą być one zapisane tylko kilkaset razy. Ogranicza to ich zastosowanie do tanich pamięci flash typu karty pamięci czy pendrivy.
19 nm to najbardziej zaawansowany technologicznie proces masowej produkcji pamięci NAND flash na świecie. Toshiba używa strukturyzowanych wafli umieszczając pomiędzy bramami komory powietrzne zapobiegające interferencjom między sąsiednimi komórkami.
Równolegle Toshiba prowadzi pracę nad zmniejszaniem grubości produkowanych układów. Umieszczanie wielu warstw pamięci jedna na drugiej pozwala na tańsze zwielokrotnianie dostępnej pojemności. Dzięki tworzeniu połączeń między warstwami Toshiba produkuje 16-poziomowe kości pamięci. Każda warstwa ma grubość zaledwie 30 μm. Łącząc w ten sposób chipy 64 Gb otrzymuje się kości analogiczne do 128 Gb.
Źródło: TechOn