W czasie ISSCC 2013 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd (TSMC) przedstawił 112 megabitowy chip SRAM wytworzony w procesie 20 nm. Rozmiar pojedynczej komórki wynosi 0,081 μm², co jest najmniejszym wynikiem na świecie.
Poprzedni, ubiegłoroczny rekord należał do Intela, który wyprodukował chip 22 nm FinFET z komórką o rozmiarze 0,092 μm². Standardowe stosowane obecnie chipy produkowane są w procesie 28 nm. Przejście na 20 nm oznacza redukcję wielkości komórki o 40%. Wymagane zasilanie spada z 1 V do 0,95 V. Oznacza to jednocześnie większe upakowanie danych, mniejsze zużycie energii i redukcję wydzielania ciepła.
Źródło: TechOn