Kości 4 Gb LPDDR3 DRAM do urządzeń przenośnych w procesie 20 nm

Radek Nimal - czwartek, 02 maja 2013, 07:50

Samsung rozpoczął produkcję kości pamięci LPDDR3 DRAM przeznaczonych do urządzeń mobilnych o pojemności 4 Gb w procesie technologicznym 20 nm.





Pamięci osiągają transfery na poziomie 2 133 Mbps, czyli ponad dwa razy większe niż popularnie obecnie wykorzystywane DRAM LPDDR2 (800 Mbps). W porównaniu zaś do LPDDR3 produkowanych w procesie 30 nm oferują ponad 30% poprawę wydajności o 20% oszczędność w konsumpcji energii.

Dzięki pojemności chipów zmniejszeniu ulegną też wymiary samych pamięci. 2 GB moduł RAM złożony będzie tylko z ośmiu kości. Dzięki temu jego wysokość będzie wynosiła zaledwie 0,8 mm.

Źródło: Samsung

Tagi: , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto