Samsung Electronics zaprezentował pierwsze na rynku pamięci wbudowane flash (eFalsh) wykonane w technologii 45 nm.
Moduły przeznaczone są do użycia w smart card – kartach identyfikacyjnych takich jak IC, NFC IC, eSE i TPM. Wytrzymują one aż milion cykli zapisu każdej komórki, co stanowi ich przewagę nad standardowo wykorzystywanymi nośnikami o trwałości o połową mniejszej. Pierwsze komercyjna zastosowania nowych pamięci mają pojawić się na rynku w drugiej połowie przyszłego roku.
Źródło: Samsung