Samsung rozpoczął masową produkcję szybkich i pojemnych pamięci dla urządzeń mobilnych. Nowe embedded Universal Flash Storage (eUFS) oferują przestrzeń aż 512 GB w pojedynczym układzie.
Bazują one na nowych, 64-warstwowych kościach 3D V-NAND flash Samsunga. W pojedynczym układzie umieszczono 8 chipów 512 Gb osiągając dwukrotnie wyższą pojemność niż w poprzedniej generacji pamięci bazujących na 48-warstwowych V-NAND.
Prędkość transferów oferowanych przez układy wynosi 860 MBps przy odczycie danych i 255 MBps przy zapisie danych. Pozwala to na przesłanie 5 GB danych w zaledwie 6 sekund – osiem razy szybciej niż w przypadku typowej karty microSD. Współczynniki wydajności wynoszą odpowiednio 42 000 IOPS oraz 40 000 IOPS. Tym razem porównanie do microSD wychodzi jeszcze lepiej – aż 100 razy szybciej będą wykonywane operacje losowe na małych plikach.
Źródło: Samsung