Samsung poinformował o trwających testach nowych pamięci NAND flash o pojemności 16Gb i wykonanych w technologii 50nm.
W stosunku do standardowych pamięci NAND zwiększono dwukrotnie rozmiar komórki pamięci (do 4KB) dzięki czemu uzyskano 150% wzrost wydajności przy zapisie.
Już wcześniej Samsung zajmował się 32Gb urządzeniami NAND w technologii 40nm. Firma pracuje cały czas nad rozwiązaniami, które pozwolą jej produkować na szeroką skalę SSD.
Pamięci flash w technologii 50nm trafią na rynek w pierwszym kwartale bieżącego roku.
Źródło: The Money Times
W sumie chodzi g³ównie o technologiê wykonania, a nie o pojemno¶æ, bo to siê równa 2GB, nie za bardzo rozumiem, dlaczego we ¼ródle opisali mo¿liwo¶ci tej karty tak jakby chodzi³o o pojemno¶æ 16GB…
chyba im sie cos pokrecilo – nikt inny nie pisal o tych pamieciach jak o kartach, wiec ten jeden akapit to chyba po prostu blad
bo tez tu nie chodzi o karty