128-warstwowe NAND flash

Radek Nimal - poniedziałek, 11 marca 2019, 23:29

Toshiba w porozumieniu z Western Digital przygotowuje się do wprowadzenia na rynek 128-warstwowych pamięci 3D NAND flash.




Dzięki strategicznemu porozumieniu Toshiby i WD firmy opracowały nowy rodzaj trójwymiarowych pamięci. W nomenklaturze Toshiba będą one funkcjonować jako BiCS-5, w pozostałych firmach – 128-layers 3D NAND.


Nowe kości będą wykorzystywały komórki przechowujące 3 bity (osiem stanów) zamiast nowszej technologii pozwalającej na zapis 4 bitów na komórkę (szesnaście stanów). Wiąże się to z mniejszą stabilnością pojemniejszych komórek i niższym popytem na nie.


Dzięki zwiększeniu liczby warstw z 96 do 128 możliwe okaże się podwojenie transferów na każdym chipie pamięci. Nowe kości mają osiągać prędkości wewnętrzne 132 MBps dla odczytu i 66 MBps dla zapisu. Należy pamiętać, że dzięki zestawianiu kości w macierze wewnątrz napędów finalne osiągi są wielokrotnie większe.


Kolejnym zyskiem wynikającym ze zwielokrotnienia liczby warstw jest redukcja wymiaru kości. W tym przypadku oznacza to zmniejszenie o 15% co bezpośrednio przekłada się nie tylko na pojemność finalnych napędów, ale też na ich wydajność prądową, a przez to cieplną.


Źródło: Blocks & Files

Tagi: , , , , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto