Doskonale znana firma SanDisk Corporation przedstawiła nowe pamięci iNAND – wbudowane napędy flashowe dla urządzeń przenośnych (EFD).
Nośniki mają znaleźć głównie zastosowanie w tanich tabletach i smartfonach produkowanych w chińskich fabrykach i na innych rynkach wschodzących. Wykonane są w technologi 1x nm MLC 3-bity na komórkę. Oferują zgodność ze standardem eMMC 4.51+HS2.00. Prędkości transferów wynoszą 100 MBps przy odczycie, 7,5 MBps przy zapisie, współczynniki wydajności, odpowiednio 3 000 IOPS i 200 IOPS. Wymiary chipa to 11,5 x 13 x 1,0 mm. Dostępne pojemności to 8 GB i 16 GB. Masowe dostawy układów przeznaczonych do tabletów już się zaczęły, nośniki do smartfonów pojawią się w drugiej połowie bieżącego roku.
Źródło: SanDisk