W Japonii w prefekturze Mie rozpoczęła się budowa Fab 5 - fabryki Toshiby, w której będą produkowane moduły pamięci NAND flash, których komórki będą miały wielkość zaledwie 20nm. Nowy zakład ma ruszyć na wiosnę 2011 roku; w przyszłości będzie możliwe dostosowanie go do tworzenia jeszcze bardziej zaawansowanych układów.
Początkowo prace nad Fab 5 miały rozpocząć się już w zeszłym roku, niestety plany te zostały pokrzyżowane przez kryzys ekonomiczny. Obecnie zapotrzebowanie na pamięci ponownie wzrasta, stąd możliwe było wznowienie pracy nad projektem. Toshiba podpisała umowę z SanDiskiem, na mocy której obie firmy będą dzielić moce produkcyjne fabryki.
Po ukończeniu nowy obiekt będzie miał powierzchnie 38 000 m2. Produkowane w nim układy będą wykorzystywane w smartfonach, tabletach PC i dyskach SSD. Są to urządzenia, których popularność dynamicznie wzrasta, zakład nie powinien mieć więc problemu ze zbytem wytwarzanych układów.
Toshiba rozpoczęła budowę fabryki 20nm chipów pamięci NAND flash
Jarson - środa, 14 lipca 2010, 22:40 Źródło: Tech Connect
Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.