Toshiba zaprezentowała pierwsze na świecie pamięci MROM flash z kośćmi MLC (Multi Level Cell).
Pamięci MROM wykorzystywane są głównie jako nośniki dla BIOSu lub oprogramowania wewnętrznego (firmware). Zastosowanie pamięci MLC pozwala na poprawienie charakterystyki pamięci i zwiększenie jej prędkości. W starszych urządzeniach szybkość MROM nie ma praktycznego znaczenia z uwagi na małą ilość informacji w nich przechowywaną, jednak wraz z rozwojem stopnia skomplikowania urządzeń codziennego użytku okazuje się, że wzrastają też wymagania dla tych kości.
W typowych SLC NAND flash zwiększenie pojemności wiąże się ze zmniejszeniem powierzchni komórki co powoduje zwężenie kanału danych i spadek prędkości. Znowu poprawienie prędkości oznacza większy tranzystor i tym samym większe komórki. Toshiba zdecydowała się na zastosowanie pamięci MLC w technologii 40 nm zwiększając efektywny kanał trzykrotnie. Daje to możliwość upakowania w tej samej powierzchni takiej samej ilości danych przy zwiększeniu prędkości i obniżeniu wpływu różnic produkcyjnych o 42%. Pierwsze układy MROM z 40 nm pamięciami MLC pojawią się w powszechnym użyciu w 2014 roku.
Źródło: XBit