Japońscy naukowcy, dzięki wykorzystaniu procesu krystalizacji w czasie przejścia fazowego podgrzanego laserem materiału na poziomie atomowym, obiecują wyższe prędkości zapisu na nośnikach DVD i BR wielokrotnego zapisu.
Anamorficzna warstwa materiału Ge2Sb2Te5 (GTS), używanego w produkcji nośników już od 30 lat, ulega miejscowej krystalizacji po oświetleniu laserem. Proces ten jest odwracalny, dzięki czemu płyty mogą być zapisywane wielokrotnie. Ten znany i wykorzystywany od lat proces jednak krył tajemnice – dlaczego struktura krystaliczna jest trwała w temperaturze pokojowej, a ulega przemianom podgrzewana laserem?
Dzięki modelowaniu struktury anamorficznej naukowcy z Panasonic Corp., Japan Synchrotron Research Institute (JARSI), RIKEN Research Institute in Japan we współpracy z Hungarian Academy od Sciences odkryli sieci tworzące się z telluru i germanu. Sieci te stabilizują strukturę krystaliczną w temperaturach pokojowych. Dodatkowo odkryto pseudo sieci tworzące się z selenu i telluru, które działają jako prekursor jądra krystalizacji.
Zrozumienie tych procesów otwiera drogę do udoskonalenia procesu zapisu płyt DVD-RW i BD-RE. Umożliwi dalsze zwiększanie prędkości oraz stworzenie lepszych i tańszych materiałów do produkcji nośników.
Źródło: CDR Info