Półtora roku temu informowaliśmy o firmie Crossbar produkującej nieulotne pamięci RRAM. Producent podaje już daty pierwszych wdrożeń.
W układzie 3D RRAM wielkości znaczka pocztowego zmieści się 1 TB danych. W porównaniu do zwykłych pamięci NAND flash układy te są wielokrotnie wytrzymalsze – zamiast około 100 000 cykli pracują nadal bezbłędnie po 100 000 000 operacji zapisu i odczytu danych.
Dzięki niewielkim rozmiarom RRAM zużywa aż 20 razy mniej energii niż NAND flash. Prędkość – 100 razy szybciej. Koszty produkcji – porównywalne. Dzięki większemu upakowaniu danych wafle używane w produkcji RRAM są mniejsze, przez co, po wdrożeniu masowej produkcji, będą nawet niższe. Sam proces produkcji jest w dodatku bardzo podobny, co też finalnie obniży koszty przestawienia linii.
Pierwsze układy RRAM produkowane są przez Crossbar w procesie technologicznym 20 nm. Wykorzystywana technologia to typowa pułapka ładunku. Górna warstwa komórki jest przewodzącą elektrodą, poniżej znajduje się anamorficzny krzem a na samym dole metal. Przyłożenie ładunku powoduje przenikanie cząsteczek z górnej warstwy tworząc przewodzący kanał – komórka otrzymuje stan 1. Odwrócenie kierunku przepływu prądu usuwa cząsteczki warstwy górnej ze środkowej i przywraca stan 0.
Występujący w przypadku typowych pamięci NAND flash efekt tunelowy przenikania ładunków pomiędzy komórkami, co utrudnia dalsze zmniejszanie ich wymiaru, został zniwelowany w pamięciach RRAM dzięki nowej technologii FAST. Field-Assisted Superlinear Threshold umożliwiła właśnie wyprodukowanie tak wydajnych i pojemnych układów.
Pierwotnie pamięci RRAM miały trafić na rynek w 2015 roku. Na chwilę obecną Crossbar podaje, że układy 3D Resistive RAM zaczną być instalowane powszechnie w urządzeniach nasobnych w 2016 roku. Do tabletów i smartfonów może trafić powszechnie już rok później.
Źródło: Crossbar