Nowe wbudowane pamięci NAND flash Toshiba

Radek Nimal - czwartek, 31 października 2013, 14:19

Dzisiaj Toshiba wprowadziła nowe moduły pamięci NAND flash wykonane w technologii 19 nm przeznaczone do wykorzystania jako pamięć wbudowana. Nowe układy są w pełni zgodne z najnowszą specyfikacją standardu eMMC wersja 5.0.





Nowe układy pojawią się w handlu pod koniec listopada bieżącego roku, początkowo w dwóch wersjach o pojemnościach 16 GB oraz 32 GB:


  • 16 GB – model THGMBG7D2KBAIL – zapis 50 MBps, odczyt 170 MBps

  • 32 GB – model THGMBG8D4KBAIR – zapis 90 MBps, odczyt 170 MBps


Oba układy wymagają zasilania 2,7 V ~ 3,6 V dla jądra oraz 1,7 V ~ 1,95 V / 2,7 V ~ 3,6 V dla interfejsu. Pracują na szynie x1, x4 lub x8. Wytrzymują temperatury od -25°C do +85°C. Wykonane są w postaci modułów FBGA ze złączem 153-kulkowym. Wymiary układu to 11,5 x 13 x 1 mm. Model 32 GB powstał przez połączenie czterech chipów 64 Gb, model 16 GB – odpowiednio dwóch.

Wkrótce w ofercie mają pojawić się także układy eMMC wykonane w technologii 19 nm o pojemnościach 4 GB, 8 GB, 64 GB oraz 128 GB. Znajdą zastosowanie w różnych urządzeniach, przede wszystkich w nowych modelach smartfonów, tabletów oraz cyfrowych kamer video.

Źródło: Toshiba

Tagi: , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za tresc komentarzy, ktore publikuja uzytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.

Dodaj komentarz
Zaloguj sie, aby dodac komentarz.


Zaloz konto