SK Hynix przedstawiło pierwszy na świecie 8 Gb chip LPDDR3 wyprodukowany w technologii 20 nm który będzie pracować jako pamięć operacyjna w urządzeniach przenośnych.
Chipy można zestawiać maksymalnie po 4 w zespół o pojemności łącznej 32 Gb (4 GB). Prędkości oferowane przez układ to 2 133 Mbps. Znacznie przekraczają one standardowe dla LPDDR3 1 600 Mbps. Przy 32-bitowym przetwarzaniu I/O oferuje przepustowość 8,5 GBps w konfiguracji jednokanałowej lub 17 GBps w dwukanałowej. Całość pracuje z zasilaniem ultra low-voltage – 1,2 V. W porównaniu do LPDDR2 układy są dwukrotnie szybsze jednocześnie zużywając o 10% mniej energii.
Nowe układy można produkować w różnych konfiguracjach łącząc we wspólnym układzie kilka kości, w tym także z pamięciami eMMC. Pozwala to tworzyć chipy będące bardziej pojemnymi RAMami lub, w razie potrzeby, oferując we wspólnej obudowie pamięć masową i operacyjną. Próbki nowych układów są właśnie rozsyłane do producentów, masowa produkcja ruszy pod koniec roku. Układy tego typu znajdą zastosowanie w smartfonach i tabletach. W drugiej połowie bieżącego roku najprawdopodobniej na rynku pojawią się pierwsze topowe modele urządzeń przenośnych z ponad 2 GB pamięci operacyjnej z kości wysokiej gęstości.
Źródło: DigiTimes