Kolejna firma przedstawiła moduły pamięci operacyjnych dla urządzeń mobilnych 8 Gb LPDDR4. Przybliża nas to do smartfonów i tabletów z 4 GB szybszego i bardziej energooszczędnego RAM.
Pamięci wykonane są w technologii 20 nm. Pracują z prędkością 3 200 Mbps – dwukrotnie wyższą niż 1 600 Mbps w obecnie stosowanych pamięciach LPDDR3. Obniżono też zasilanie z 1,2 V do 1,1 V.
Nowe kości najprawdopodobniej trafią do flagowych modeli urządzeń mobilnych pod koniec roku 2014 i do popularnych smartfonów i tabletów w 2015 roku.
Źródło: SK Hynix