SK Hynix zaprezentował 6 Gb moduły pamięci LPDDR3 wykonane w technologii 20 nm. Znajdą one zastosowanie w nadchodzących modelach flagowych smartfonów jako pamięci operacyjna.
Dzięki wykorzystaniu nowych modułów możliwe jest wykonanie, w postaci pojedynczego układu, 3 GB pamięci operacyjnych dla urządzeń przenośnych. Daje to wzrost o ponad 33% w stosunku do najpojemniejszych obecnie chipów wykorzystujących moduły 4 Gb. Dodatkowo, oprócz wzrostu pojemności, poprawia się także wydajność energetyczna dzięki zasilaniu pamięci napięciem 1,2 V.
Prędkość pracy układów to 1 866 Mbps. W przypadku 32 komend wejścia/wyjścia daje to przepustowość 7,4 GBps dla pamięci jednokanałowych i aż 14,8 GBps dla dwukanałowych. Próbki nowych układów zaczną być wysyłane do producentów już na początku przyszłego roku.
Źródło: Xbit