Samsung 10nm FinFET drugiej generacji

Radek Nimal - Friday, 01 December 2017, 22:54

Firma Samsung ogłosiła dziś rozpoczęcie przez pion Foundry masowej produkcji układów SoC (System-on-Chip). Tworzone będą one w 10-nanometrowym procesie technologicznym FinFET drugiej generacji pod nazwą 10LPP (Low Power Plus).




Proces technologiczny 10LPP umożliwia wzrost wydajności o 10% lub też niższe o 15% zużycie energii względem procesu technologicznego 10 nm pierwszej generacji, tj. 10LPE (Low Power Early). Nowy proces bazuje na sprawdzonej technologii 10LPE, co pozwoliło firmie osiągnąć znacznie krótszy czas wdrożenia do masowej produkcji oraz dużo wyższą wydajność produkcji.


Układy SoC produkowane w procesie technologicznym 10LPP użyte zostaną w urządzeniach cyfrowych, których premiera planowana jest na początek przyszłego roku i będą szerzej dostępne w kolejnych miesiącach.


Firma Samsung ogłosiła także, że jej najnowsza linia produkcyjna S3 w Hwaseong w Korei Południowej jest gotowa znacząco zwiększyć produkcję układów, także w technologii 10nm i mniejszej. Produkująca półprzewodniki fabryka S3 to trzecia linia pionu Foundry firmy Samsung, po S1 w Giheung w Korei Południowej i S2 w Austin (USA). W fabryce S3 masowo produkowane będą również układy w procesie technologicznym 7nm FinFET z wykorzystaniem litografii EUV (Extreme Ultra Violet).


Źdło: Samsung

Tagi: , , ,

Dodaj komentarz

Dodajesz komentarz jako anonimowy użytkownik. Zaloguj się lub zarejestruj aby dodawać komentarze jako użytkownik serwisu CDRinfo.pl

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.